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SK海力士率先研發第六代10納米級DRAM

2026年03月10日 15:00 PDF版 分享轉發

SK海力士率先研發第六代10納米級DRAM

存儲巨頭SK海力士全球率先研製出第六代10納米級同步 DRAM。SK 海力士10日表示,公司採用第六代 10 納米級 DRAM 技術(1c工藝),成功研製16千兆位(Gb)第六代低功耗雙倍數據速率 (LPDDR6) DRAM。SK海力士曾於1月在舉行的2026年國際消費電子展(CES 2026)上推介該產品,並於近期獲得研發認證。公司表示,爭取在上半年內完成量產準備工作,並從下半年起開始供貨。基於1c工藝的LPDDR6產品將主要搭載於採用端側 (On-device AI) 技術的產品。與前款LPDDR5X相比,LPDDR6的數據速率提升33%,能耗降低20%以上。

—— 韓聯社

轉自: 風向旗快訊

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