三星 HBM 芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试

三位知情人事表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存 (HBM) 芯片未能通过英伟达的测试，无法用于这家美国公司的人工智能处理器。消息人士表示，这影响了三星的 HBM3 (第四代)、HBM3E (第五代) 芯片。这是首次报道三星未能通过英伟达测试的原因。三星在给路透社的声明中表示， HBM 是一种定制的内存产品，需要“根据客户需求进行优化过程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。三星拒绝对具体客户发表评论。

—— 路透社

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转自: 风向旗快讯