再告美光侵犯11項專利，長江存儲要求停止在美銷售侵權產品

中國 3D NAND 快閃記憶體製造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，指控美光侵犯了長江存儲的11項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，並支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的96層 (B27A)、128層 (B37R)、176層 (B47R) 和232層 (B58R) 3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產品 (Y2BM系列)，侵犯了長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。

—— 台灣聯合報、Tomshardware

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轉自: 風向旗快訊