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RSS/FEED订阅曹兴诚：台湾半导体技术的来源和艰苦研发的经过……
转自：新世纪，文章内容并不代表本网立场和观点。
曹兴诚 八不居士 脸书 2026-5-20
川普说台湾偷了美国的半导体技术，绝非事实，行政院应该公开澄清。
美国总统川普访中（川习会）後，於北京接受福斯新闻（Fox News）主播布莱特·拜尔（Bret Baier）与汉尼提（Sean Hannity）的专访，再度公开指责台湾偷窃了美国的半导体技术；奇怪的是，台湾政府或台积电至今对此全无澄清，失职失能极其严重。
台湾的半导体技术当初是向美国购买的。双方於 1976 年 3 月 5 日，由工业技术研究院（工研院）代表台湾与 美国RCA 公司正式签署合约，合约为期10年。合约金额为350 万美元，分为两个部分：
技术移转费： 250 万美元
技术授权金： 100 万美元
在当时台湾国民平均年所得不到 400 美元的年代，这是一笔极为庞大的国家赌注。政府当年为整个「积体电路计画」编列了约 1,000 万美元（约合当时新台币 4 亿元）的专案预算，除了支付给 RCA 的 350 万美元技术费用外，其余资金则用於兴建台湾第一座 3 寸晶圆「示范工厂」，以及分批派遣年轻工程师（包括我，史钦泰、曾繁城、刘英达、蔡明介等20余人）前往美国 RCA 总部接受实地培训。
1976年我们向RCA 购买的是7微米的CMOS技术，而当时美国尖端技术是3.5 微米的NMOS技术。我们所以选择CMOS ，一是因爲购买CMOS 技术的费用便宜，二是CMOS 较省电，适合用於低阶消费性产品，可以配合台湾消费电子业的发展。
3寸晶圆厂和7微米技术可说非常低微的起步。但工研院电子所的这座「示范工厂」示范得相当成功，於是政府决定，由电子所技术移转给1980年成立的联华电子公司，另行建立4寸晶圆厂，以走向民间和商业化。为了支付工研院的技术移转，联电成立时免费给了经济部15%的技术股。
联华电子公司在我的带领下，於1983年就创造了每股近七元的净利，并在1985年成功上市。
受到联电成功的激励，1983年，政府决定在工研院内，再建一座3微米技术的6寸晶圆示范工厂。投入了经费约一亿美元，花费四年，研发完成了3微米技术同时培养出了约400名工程师。
1987年，这些工程师全数「转进」新成立的「台湾积体电路公司」，并回头「租用」该示范工厂，让台积电成立的第一天就拥有了3微米的进步技术和崭新的可以商业化的工厂。
台积电租用工研院「示范工厂」的费用极为低廉，每年仅2百万美金，事先还由经济部支付给台积电7百万美元当成「研发费用」，等於让台积电无偿使用「示范工厂」3年半，这就是台积电业务一开始就能顺利起飞的原因。
台积电以这样的方式「取得」了3微米技术和工厂，而当时张忠谋先生同时兼任工研院和台积电的董事长，当然有「化公为私」的争议；我当年就公开提出质疑，要求联电可以参与「租用」的比价竞争；结果遭到政府打压，还差点因此被联电董事会解聘。或许因为如此，台积电对於其技术来源始终避而不谈，面对美国一再侮辱台湾偷窃美国技术，台积电也默不作声。
川普一再指责台湾偷窃美国半导体技术，後果相当严重。除了外交上的不友善，川普也以此为藉口，逼迫台湾去美国设厂，以求拆除台湾的「矽盾」。台湾不宜再闷着头挨骂，不敢辩驳。
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我因此强烈建议行政院、工研院、台积电，针对台湾半导体技术的来源和多年来台湾不断投入钜额资源、艰苦研发的经过，召开国际记者会详细说明，以正国际视听。
